在硅衬底上生长的氮化镓薄膜结构及其生长方法

摘要

本发明公开了一种在硅衬底上生长氮化镓薄膜的方法，包括如下步骤：选择硅衬底；采用金属有机物汽相外延方法，在硅衬底上生长一层铝；在硅衬底上生长铝后生长一层氮化铝成核层；在该氮化铝成核层上生长铝和氮化铝的超晶格；在铝和氮化铝的超晶格上生长四层氮化镓层；在氮化镓生长过程中，降低温度，插入三层氮化铝层；最后改变生长室气压，生长一层氮化镓层。利用本发明，通过控制生长条件，如温度、压力以及生长氮化镓的缓冲层结构设计方面的改进，在硅衬底上外延生长出了氮化镓薄膜。

主权项

一种在硅衬底上生长氮化镓薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：选择硅衬底；采用金属有机物汽相外延方法，在硅衬底上生长一层铝；在硅衬底上生长铝后生长一层氮化铝成核层；在该氮化铝成核层上生长铝和氮化铝的超晶格；在铝和氮化铝的超晶格上生长四层氮化镓层；在氮化镓生长过程中，降低温度，插入三层氮化铝层；最后改变生长室气压，生长一层氮化镓层。