金属氧化物半导体场效应晶体管有源区和边缘终止区电荷平衡

摘要

公开了一种制造具有有源区和边缘终止区的MOSFET的方法。本方法包括在位于有源区和边缘终止区中的沟槽的底部形成第一多个注入物。在位于有源区的沟槽的底部形成第二多个注入物。在位于有源区的沟槽底部形成第二多个注入物，使得在位于有源区的沟槽的底部形成的注入物达到预定的浓度。这样，有源区和边缘终止区的击穿电压可以变得相似，并因此得到优化，同时还能维持有利的RDson。

主权项

一种制造具有有源区和边缘终止区的半导体器件的方法，所述方法包括：在位于所述有源区的沟槽的底部以及位于边缘终止区的沟槽的底部形成第一多个注入物；以及在位于所述有源区的所述沟槽的底部形成第二多个注入物，同时不干涉位于所述边缘终止区的所述第一多个注入物，其中，在位于所述有源区的所述沟槽的底部形成的所述第二多个注入物致使在位于所述有源区的所述沟槽的底部形成的所述注入物达到预定的浓度。