发明名称 具有减小的反向泄漏的3D读/写单元及其制造方法
摘要 一种非易失性存储器装置,其包括:半导体二极管控向元件;以及半导体读/写转换元件。
申请公布号 CN101796588A 申请公布日期 2010.08.04
申请号 CN200880024858.4 申请日期 2008.06.23
申请人 桑迪士克3D公司 发明人 T·库玛;C·J·派提
分类号 G11C13/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I 主分类号 G11C13/00(2006.01)I
代理机构 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人 赵蓉民
主权项 一种非易失性存储器装置,其包括:半导体二极管控向元件;以及半导体读/写转换元件。
地址 美国加利福尼亚州