多元化合物红外晶体生长装置

摘要

本发明提供了一种多元化合物红外晶体生长装置，包括炉体，炉体内的炉膛由上至下包括上部高温区、中部梯度区和下部低温区三种温区，上部高温区和下部低温区设置有独立控温的加热器，上部高温区和下部低温区均安放有控温热电偶，中部梯度区为带通气孔的隔热耐火层，炉膛内设有支撑晶体生长坩埚的支撑杆，支撑杆的下端与旋转卡头连接，旋转卡头与一电机连接，电机安装在一个螺旋移动机构上。本发明可以根据不同多元化合物红外晶体的生长性，获得适合晶体生长的温场，维持固-液界面的稳定性，实现晶体的平界面生长。使用该生长装置，采用布里奇曼法能够制备出外观完整、结晶性能良好的多元化合物红外晶体。

主权项

一种多元化合物红外晶体生长装置，包括炉体，炉体内的炉膛由上至下包括上部高温区、中部梯度区和下部低温区三种温区，上部高温区和下部低温区设置有独立控温的加热器，上部高温区和下部低温区均安放有控温热电偶，炉膛内设有支撑晶体生长坩埚的支撑杆，支撑杆的下端与旋转卡头连接，旋转卡头与一电机连接，电机安装在一个螺旋移动机构上，其特征在于：所述上部高温区的控温热电偶安放在上部高温区高度的1/2～2/3位置处，下部低温区的控温热电偶安放在下部低温区高度的1/3～1/2位置处，中部梯度区为带横向通气孔的隔热耐火层，隔热耐火层伸入炉膛内部，隔热耐火层的上、下端设有挡板，隔热耐火层的上面加设一层氧化锆纤维毯。