发光二极体载板与发光二极体装置;LIGHT EMITTING DIODE SUBSTRATE AND LIGHT EMITTING DIODE DEVICE

摘要

一种发光二极体载板，包含有一绝缘层、复数个导电层形成于绝缘层之上、一表面处理层形成于导电层之上、复数个开口形成于绝缘层之中以及复数个传导元件分别形成于开口之中。发光二极体载板之厚度一般约系介于0.1公厘(millimeter；mm)~5.0公厘之间。此外，一种应用此载板之发光二极体装置亦同时在此揭露。

主权项

1.一种发光二极体载板，至少包含：一绝缘层；复数个导电层，形成于该绝缘层之上；一表面处理层，形成于该些导电层之上；复数个开口，形成于该绝缘层之中，且该些导电层至少其中之一亦形成于该些开口之内侧表面；以及复数个传导元件，分别形成于该些开口之中，其中该些传导元件系由铜胶、银胶、焊锡、石墨及散热胶所构成之群组选择其一所构成。 ;2.如申请专利范围第1项所述之发光二极体载板，其中该发光二极体载板之厚度系介于0.1公厘(millimeter；mm)~5.0公厘之间。 ;3.如申请专利范围第1项所述之发光二极体载板，其中该绝缘层系选自于导热胶片、玻纤布基材含浸环气树脂(G-10)、玻纤布基材含浸耐燃环氧树脂(FR-4)、高耐热性基材环氧树脂(FR-5)、玻纤布基材含浸聚亚醯胺(Polyimide)树脂、玻纤布基材含浸铁氟龙(Teflon；PTFE)树脂所构成之群组。。 ;4.如申请专利范围第1项所述之发光二极体载板，其中该些导电层包含有一第一导电层、一第二导电层与一第三导电层。 ;5.如申请专利范围第4项所述之发光二极体载板，其中该第一导电层为压合于绝缘层表面之一铜层。 ;6.如申请专利范围第5项所述之发光二极体载板，其中该第二导电层为一电镀铜层，形成于该第一导电层之上及该些开口之内。 ;7.如申请专利范围第6项所述之发光二极体载板，其中该第三导电层亦为一电镀铜层，形成于该第二导电层上。 ;8.如申请专利范围第7项所述之发光二极体载板，其中该第三导电层更包含有复数个T型结构，且该T型结构下方之凸出部贯穿该第一导电层与该第二导电层。 ;9.如申请专利范围第8项所述之发光二极体载板，其中该凸出部接触该绝缘层。 ;10.如申请专利范围第6项所述之发光二极体载板，其中该第二导电层于该些开口处形成至少一凸缘。 ;11.一种发光二极体装置，至少包含：一发光二极体元件；以及一发光二极体载板，其中该发光二极体元件固定于该发光二极体载板之上，且该发光二极体载板更包含：一绝缘层；复数个导电层，形成于该绝缘层之上；一表面处理层，形成于该些导电层之上；复数个开口，形成于该绝缘层之中，且该些导电层至少其中之一亦形成于该些开口之内侧表面；以及复数个传导元件，分别形成于该些开口之中，其中该些传导元件系由铜胶、银胶、焊锡、石墨及散热胶所构成之群组选择其一所构成。 ;12.如申请专利范围第11项所述之发光二极体装置，其中该发光二极体元件系利用焊锡或导电胶固定于该发光二极体载板之上。 ;13.如申请专利范围第11项所述之发光二极体装置，其中该发光二极体载板之厚度系介于0.1公厘(millimeter；mm)~5.0公厘之间。 ;14.如申请专利范围第11项所述之发光二极体装置，其中该绝缘层系选自于导热胶片、玻纤布基材含浸环气树脂(G-10)、玻纤布基材含浸耐燃环氧树脂(FR-4)、高耐热性基材环氧树脂(FR-5)、玻纤布基材含浸聚亚醯胺(Polyimide)树脂、玻纤布基材含浸铁氟龙(Teflon；PTFE)树脂所构成之群组。 ;15.如申请专利范围第11项所述之发光二极体装置，其中该些导电层包含有一第一导电层、一第二导电层与一第三导电层。 ;16.如申请专利范围第15项所述之发光二极体装置，其中该第二导电层为一电镀铜层，形成于该第一导电层之上及该些开口之内。 ;17.如申请专利范围第16项所述之发光二极体装置，其中该第三导电层，更包含有复数个T型结构，位于该发光二极体元件之下方，且该T型结构下方之凸出部贯穿该第一导电层与该第二导电层。 ;18.如申请专利范围第17项所述之发光二极体装置，其中该凸出部接触该绝缘层。 ;19.如申请专利范围第15项所述之发光二极体装置，其中该第二导电层于该些开口处形成至少一凸缘。;为让本新型之上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附图式之详细说明如下：;第1图系为本新型之发光二极体载板一实施例之剖面示意图；以及;第2图系为本新型之发光二极体载板另一实施例之剖面示意图。