等离子体处理装置

摘要

一种等离子体处理装置的新型结构可以解决等离子体浓度在基片或晶圆边缘区域小于中心区域的问题。该新型结构包括在基座外围的介电体外周侧设置一射频能量引导元件来引导从下电极送入的射频能量的传递路径，并将该射频能量引导至基片边缘，以增强基片边缘的等离子体密度，最终增强或实现等离子体密度或浓度在整个基片表面的均一。

主权项

一种等离子体处理装置，其特征在于，所述等离子体处理装置包括：由导电材料制成的反应腔；设置于反应腔内的一第一电极；设置于反应腔内与第一电极相对设置的一第二电极；一射频功率源与第二电极相连接，用以提供射频功率而在第一电极及第二电极之间形成射频电场和形成等离子体；一基座设置于反应腔内用于支撑被处理的基片或晶片；一介电体围绕所述基座，并包围所述基座中的第二电极外侧面的；一射频能量引导元件，其由导电材料制成并且在等离子体处理过程中电浮地，所述射频能量引导元件包括：一覆盖部，设置于介电体外侧并至少部分包围该介电体中的第二电极外侧面的一部分；以及一向内延伸部，其一端与所述覆盖部相交，其相对的另一端向靠近基座的一侧延伸。