非易失性存储器和用于预测编程的方法

摘要

在具有存储器单元的阵列的非易失性存储器中，其中这些存储器单元各自可编程到阈值电压电平的范围之一，提供了一种预测编程模式，其中预定函数预测需要施加什么编程电压电平以便将给定的存储器单元编程到给定的目标阈值电压电平。以此方式，不需要进行验证操作，由此极大地改善了编程操作的性能。在优选实施例中，该预定函数是线性的，并且通过一个或多个检查点对于处在编程下的每个存储器单元校准该预定函数。该检查点是将讨论的存储器单元编程到被验证的指定阈值电压电平的实际编程电压。

主权项

一种在具有存储器单元的阵列的非易失性存储器中，其中存储器单元各自可被编程到阈值电压电平的范围之一，将存储器单元编程到目标阈值电压电平的方法包括：为处在编程下的存储器单元提供预定函数，该函数产生编程电压值作为存储器单元被作为目标编程到的阈值电压电平的函数；利用具有增加的幅值的编程电压，将存储器单元编程到目标阈值电压电平；以及在所述编程电压基本达到由在所述目标阈值电压电平处估计的预定函数所确定的值后，停止存储器单元的编程。