| 发明名称 | 刻蚀工艺用的挡片及防止挡片跳片的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种刻蚀工艺用的挡片，包括晶圆衬底及其上的暖机膜层，所述晶圆衬底下具有一层防止跳片的绝缘膜层。本发明还公开了一种防止挡片跳片的方法，包括在所述挡片的晶圆衬底底部生长一层防止跳片的绝缘膜层。本发明具有以下优点：可以增加挡片的等效电阻，以此来削弱挡片在放电时的振动，由此可以有效减小跳片的几率；本发明增加绝缘膜层也增加了挡片的重量，可以减小振动的强度；另外绝缘层可反复使用，具有成本低的优点。 | ||
| 申请公布号 | CN101697340A | 申请公布日期 | 2010.04.21 |
| 申请号 | CN200910197820.3 | 申请日期 | 2009.10.28 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 夏军;殷冠华;许昕睿;林俊毅 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种刻蚀工艺用的挡片，包括晶圆衬底及其上的暖机膜层，其特征在于，所述晶圆衬底下具有一层防止跳片的绝缘膜层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江高科技圆区郭守敬路818号 | ||