| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法以及图像显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种能够以更高密度形成半导体元件的半导体装置及其制造方法。同时提供一种使用了该半导体装置的图像显示装置。所述半导体装置具有：树脂薄膜，其具有通孔；半导体元件，其包括配置在所述通孔的内壁的栅电极、在所述通孔的内部覆盖所述栅电极的绝缘层、在所述通孔的内部配置在所述绝缘层上的有机半导体、与该有机半导体电连接的源电极及漏电极。 | ||
| 申请公布号 | CN101689566A | 申请公布日期 | 2010.03.31 |
| 申请号 | CN200880021974.0 | 申请日期 | 2008.07.01 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 山下嘉久;中谷诚一 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I;H01L51/50(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，其特征在于，具有：树脂薄膜，其具有通孔；半导体元件，其包括配置在所述通孔的内壁的栅电极、在所述通孔的内部覆盖所述栅电极的绝缘层、在所述通孔的内部配置在所述绝缘层上的有机半导体、与该有机半导体电连接的源电极及漏电极。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||