发明名称 |
显示装置及其制造方法 |
摘要 |
本发明的目的是提供一种生产率高、显示品质优良的显示装置及其制造方法。本发明的显示装置,具有:衬底;栅极绝缘膜(5),设置在衬底上,配置在半导体层与包含电容电极(6)和栅电极(15)的第一导电层之间;层间绝缘膜(8),形成在半导体层、第一导电层以及栅极绝缘膜(5)的上层;第二导电层,形成在层间绝缘膜(8)上,包含信号线(9);保护膜(10),形成在层间绝缘膜(8)以及第二导电层上;形成在保护膜(10)上的像素电极层(12),其中,像素电极层(12)贯通保护膜(10)到达第二导电层,并且,贯通保护膜(10)、层间绝缘膜(8)以及栅极绝缘膜(5)到达半导体层,半导体层和第二导电层通过像素电极层(12)连接。 |
申请公布号 |
CN100580936C |
申请公布日期 |
2010.01.13 |
申请号 |
CN200710162205.X |
申请日期 |
2007.09.30 |
申请人 |
三菱电机株式会社 |
发明人 |
西浦笃德;竹口彻;今村卓司 |
分类号 |
H01L27/12(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/12(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
王 岳;刘宗杰 |
主权项 |
1.一种显示装置,其特征在于,具有:衬底;半导体层,设置在所述衬底上;栅极绝缘膜,形成在所述半导体层上;第一导电层,形成在所述栅极绝缘膜上,并且包含电容电极以及栅电极;层间绝缘膜,形成在所述半导体层、所述第一导电层以及所述栅极绝缘膜的上层;第二导电层,形成在所述层间绝缘膜上,包含信号线;保护膜,形成在所述层间绝缘膜以及所述第二导电层上;像素电极层,形成在所述保护膜上,所述像素电极层贯通所述保护膜到达所述第二导电层,并且贯通所述保护膜、所述层间绝缘膜以及所述栅极绝缘膜到达所述半导体层,由此,所述半导体层和第二导电层通过所述像素电极层连接。 |
地址 |
日本东京都 |