| 发明名称 | 一种发光二极管芯片及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明所述发光二极管芯片包括热沉基板、金属接合层及裸芯，裸芯包括n型半导体层、发光层、p型半导体层、反射层及电极层，其特点是金属接合层包括彼此分隔的并可与外接电源线连接的第一接合层和第二接合层，且第一接合层与反射层接合，第二接合层与电极层接合，所述热沉基板至少将其上表面与金属接合层的接触部分设为绝缘部分，所述裸芯通过所述第一接合层和第二接合层与外接电源线的连接而形成热电分离的电流通路。本发明由于采用热电分离式的结构使得热沉基板专门用来散热，而导电部分则由金属接合层构图来完成，所以其散热效果明显改善，同时也相应地提高了发光效率。本发明还涉及发光二极管芯片的制备方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101615611A | 申请公布日期 | 2009.12.30 |
| 申请号 | CN200910160996.1 | 申请日期 | 2009.07.29 |
| 申请人 | 鹤山丽得电子实业有限公司 | 发明人 | 樊邦扬;翁新川 |
| 分类号 | H01L25/075(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I | 主分类号 | H01L25/075(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 1、一种发光二极管芯片，包括热沉基板(1)、设置在该热沉基板(1)上的金属接合层(3)及装置在所述热沉基板(1)上方的裸芯(4)，其中，所述裸芯(4)包括：n型半导体层(44)及依次叠加于该n型半导体层(44)上的发光层(43)、p型半导体层(42)、反射层(41)以及形成于所述n型半导体层(44)上的电极层(45)，其特征在于：所述金属接合层(3)包括彼此分隔地设置于所述热沉基板(1)上表面的并可与外接电源线连接的第一接合层(31)和第二接合层(32)，且所述第一接合层(31)与所述反射层(41)接合，所述第二接合层(32)与所述电极层(45)接合，所述热沉基板(1)至少将其上表面与金属接合层(3)的接触部分设为绝缘部分，所述裸芯(4)通过所述第一接合层(31)和第二接合层(32)与外接电源线的连接而形成热电分离的电流通路。 | ||
| 地址 | 529728广东省鹤山市共和镇祥和路301号 | ||