不同厚度的栅氧化层的制造方法

摘要

本发明公开了一种不同厚度的栅氧化层的制造方法。此方法为，提供基底，基底具有高电压元件区以及低电压元件区。然后，在基底上形成高电压栅氧化层。之后，进行第一湿式蚀刻工艺，移除低电压元件区的部分高电压栅氧化层。随后，进行第二湿式蚀刻工艺，移除低电压元件区的残留的高电压栅氧化层。其中，第二湿式蚀刻工艺的蚀刻率小于第一湿式蚀刻工艺的蚀刻率。接着，在低电压元件区的基底上形成低电压栅氧化层。

主权项

1.一种不同厚度的栅氧化层的制造方法，包括：提供基底，该基底具有第一元件区以及第二元件区；在该基底上形成第一栅氧化层；进行第一湿式蚀刻工艺，移除该第二元件区的部分该第一栅氧化层；进行第二湿式蚀刻工艺，移除该第二元件区的残留的该第一栅氧化层，其中该第二湿式蚀刻工艺的蚀刻率小于该第一湿式蚀刻工艺的蚀刻率；以及在该第二元件区的该基底上形成第二栅氧化层，其中该第二栅氧化层的厚度小于该第一栅氧化层的厚度。