发明名称 电晶体散热结构改良
摘要
申请公布号 TWM337145 申请公布日期 2008.07.21
申请号 TW096218637 申请日期 2007.11.06
申请人 利顺精密科技股份有限公司 台北县五股乡五权三路17号 发明人 资重兴;白金泉
分类号 H01L23/367 (2006.01) 主分类号 H01L23/367 (2006.01)
代理机构 代理人 杨益松 台中市南屯区五权西路2段666号12楼之4
主权项 1.一种电晶体散热结构改良,其本体系包含:一基板,该基板系具有一第一表面与一第二表面,该基板于适处开设有一窗口,该窗口贯穿该第一表面与第二表面,该基板之第一表面承载有至少一晶片,该晶片并以引线穿过窗口连接至基板第二表面,该基板第一表面设有第一封装层,该第一封装层系将晶片包覆于内,而基板于窗口处设有第二封装层,该第二封装层系将引线包覆于内,并于该第二封装层之外侧设有散热层,藉该散热层而可透过热传导之方式将晶片之热能向外传导,据以提高散热之效。2.根据申请专利范围第1项所述之电晶体散热结构改良,其中该基板之第二表面设有复数个锡球。3.根据申请专利范围第2项所述之电晶体散热结构改良,其中该基板第二表面邻近窗口处之锡球所围合之处系可定义出一散热空间,该散热空间与第二表面间之最大高度差,系略大于或等于锡球与第二表面间之最长垂直距离,而该散热层系设置于第二封装层之外侧起至散热空间内。4.根据申请专利范围第1项所述之电晶体散热结构改良,其中该散热层系为液态散热层。5.根据申请专利范围第2项所述之电晶体散热结构改良,其中该散热层系为液态散热层。6.根据申请专利范围第3项所述之电晶体散热结构改良,其中该散热层系为液态散热层。7.根据申请专利范围第1项至第6项中任一项所述之电晶体散热结构改良,其中该晶片系具有一作用面以及一非作用面,该晶片系以该作用面与基板之第一表面结合,而该非作用面则受第一封装层之包覆。8.根据申请专利范围第7项所述之电晶体散热结构改良,其中该引线系与晶片之作用面连接。9.根据申请专利范围第1项至第6项中任一项所述之电晶体散热结构改良,其中该晶片与基板之第一表面之间系设有一黏着层。10.根据申请专利范围第7项所述之电晶体散热结构改良,其中该晶片作用面与基板之第一表面之间系设有一黏着层。11.根据申请专利范围第8项所述之电晶体散热结构改良,其中该晶片作用面与基板之第一表面之间系设有一黏着层。12.根据申请专利范围第9项所述之电晶体散热结构改良,其中该黏着层系为绝缘性黏着层。13.根据申请专利范围第10项所述之电晶体散热结构改良,其中该黏着层系为绝缘性黏着层。14.根据申请专利范围第11项所述之电晶体散热结构改良,其中该黏着层系为绝缘性黏着层。图式简单说明:第一图系本创作基板结构示意图。第二图系本创作基板与晶片结合后之示意图。第三图系本创作基板封装后示意图。第四图系本创作基板与锡球结合后之示意图。第五图系本创作完成后之示意图。第六图系本创作使用示意图。
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