| 摘要 |
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterbauelement-Einheit mit Schritten zum Ausbilden wenigstens eines Halbleiterbauelementes, eines solchen wie Feldeffekt-Transistors (FET), einer Diode oder eines optoelektronischen Halbleiterbauelementes, auf Basis von GaN-Halbleitern, aufweisend das Bereitstellen eines Träger-Substrates, das Aufwachsen mindestens einer, in der Regel jedoch einer Vielzahl von auf dem Träger-Substrat aufgebrachten Funktionsschichten aus p- und/oder n-leitendem oder semiisolierendem Halbleitermaterial, die jeweils eine kristalline oder polykristalline Gitterstruktur aufweisen in-situ unter kontrollierter Atmosphäre, wobei wenigstens die äußeren Funktionsschichten (3, 4) einkristalline Struktur aufweisen, und mit anschließend ex-situ ausgeführten lithografischen Schritten zum Ausbilden einer Halbleiterelement- und Kontaktstruktur. Es ist vorgesehen, dass auf die in vorherigen Schritten fertiggestellten Funktionsschichten in-situ unter kontrollierter Atmosphäre wenigstens eine erste zusätzliche dünne isolierende Schicht (1) flächendeckend aufgebracht wird, wobei diese erste zusätzliche Schicht aus AlN oder AlGaN ausgebildet wird.
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