一种碳化硅反射镜材料的制备方法及其CVI成形装置

摘要

本发明公开了一种SiC反射镜材料的制备方法及该方法所使用的CVI成形装置。这种制备方法以50～200目SiC粉末为原料，盛于CVI成形装置的石墨腔中，以三氯甲基硅烷为SiC气源，H₂作为载气和稀释气体，Ar为保护气体，1000～1300℃温度下CVI法沉积SiC形成坯体；脱去石墨腔体后重复CVI沉积SiC使坯体增密并机械加工几次；CVD法在SiC坯体表面制备SiC反射层。本发明制备的反射镜材料，其基体与涂层之间由于热性能一致，因此不易产生裂纹，并且生产周期大大缩短，可实现多工件同时沉积，生产成本降低。

主权项

1.一种碳化硅反射镜材料的制备方法，其特征在于包含以下步骤：(1)以50～200目SiC粉末为原料，盛于石墨腔体中，以三氯甲基硅烷为SiC气源，H2作为载气和稀释气体，Ar为保护气体，CVI法沉积SiC形成坯体；(2)脱去石墨腔体后CVI沉积一次；(3)重复几次CVI沉积使SiC坯体增密，每次增密前对坯体表面进行机械加工；(4)再以CVD法在SiC坯体表面制备SiC反射层，CVD过程的工艺条件与步骤(1)中的CVI的工艺条件相同；所述各步骤中，CVI气体摩尔比配比为MTS∶H2＝1∶4～1∶12，Ar∶H2≈1∶1；所述CVI为等温CVI，沉积温度为1000℃～1300℃，沉积压力不高于10KPa。