发明名称 |
Systems and methods for driving a transistor |
摘要 |
This disclosure relates to monitoring and controlling a voltage characteristic of a Drain Extended Metal Oxide Semiconductor (DeMOS) transistor.
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申请公布号 |
US2009147542(A1) |
申请公布日期 |
2009.06.11 |
申请号 |
US20070953639 |
申请日期 |
2007.12.10 |
申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
KUTTNER FRANZ;HOELLINGER WERNER |
分类号 |
H02M3/335;G05F1/10 |
主分类号 |
H02M3/335 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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