发明名称 Systems and methods for driving a transistor
摘要 This disclosure relates to monitoring and controlling a voltage characteristic of a Drain Extended Metal Oxide Semiconductor (DeMOS) transistor.
申请公布号 US2009147542(A1) 申请公布日期 2009.06.11
申请号 US20070953639 申请日期 2007.12.10
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 KUTTNER FRANZ;HOELLINGER WERNER
分类号 H02M3/335;G05F1/10 主分类号 H02M3/335
代理机构 代理人
主权项
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