| 发明名称 | 一种纳米添加氧化锌基稀磁半导体材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了纳米添加氧化锌基稀磁半导体材料及其制备方法。制备了氧化锌基稀磁半导体多晶粉末，其具有分子结构式Zn<sub>1-x</sub>TM<sub>x</sub>O，其中TM代表过渡金属元素Fe、Co、Ni、Mn，其浓度为x＝0～10％，并通过掺入纳米SiO<sub>2</sub>或纳米C粉体的方式获得了更高磁性能的稀磁半导体粉体样品。用醋酸锌和过渡金属盐作为前驱物，溶于乙二醇甲醚中，加入适量的稳定剂乙醇胺，搅拌完全溶解后，经过陈化、烘干、热处理后，得到Zn<sub>1-x</sub>TM<sub>x</sub>O多晶粉末，将此粉末与纳米粉体混合，充分研磨后，再次进行热处理，制得所需的纳米添加氧化锌基稀磁半导体材料。在制得具有室温铁磁性氧化锌基稀磁半导体材料的基础上，成功引入纳米粉体，改善其晶界缺陷，提高材料磁性能。 | ||
| 申请公布号 | CN100498988C | 申请公布日期 | 2009.06.10 |
| 申请号 | CN200710160240.8 | 申请日期 | 2007.12.14 |
| 申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 严密;顾浩;马天宇;罗伟 |
| 分类号 | H01F1/40(2006.01)I;H01F41/00(2006.01)I;C01G9/02(2006.01)I;B22F9/16(2006.01)I | 主分类号 | H01F1/40(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人 | 张法高 |
| 主权项 | 1. 一种纳米添加氧化锌基稀磁半导体材料，其特征在于由重量比为1∶8～10的氧化锌基稀磁半导体材料和纳米添加物混合而成，氧化锌基稀磁半导体材料的分子结构式为Zn1-xTMxO，TM代表过渡金属元素Fe、Co、Ni或Mn，其浓度为0<x≤10％，纳米添加物为纳米SiO2或纳米C，纳米SiO2或纳米C的颗粒大小为20～30nm。 | ||
| 地址 | 310027浙江省杭州市浙大路38号 | ||