发明名称 半导体制造装置及半导体器件的制造方法
摘要 本发明提供一种半导体制造装置及半导体器件的制造方法,通过适当地设定蓝宝石衬底的预热工序中的预热条件,可顺利地进行蓝宝石衬底的吸引保持。该半导体制造装置具备:加热板,其使蓝宝石衬底在大气中升温;支承部,其使蓝宝石衬底的背面与加热板相对,并隔开规定间隔对蓝宝石衬底进行支承;以及喷出孔,其设置于加热板,朝向蓝宝石衬底的中心部喷出气体;在利用加热板来预热蓝宝石衬底的情况下,将上述蓝宝石衬底的预热条件设定为:规定间隔为1mm以下,来自喷出孔的气体的喷出量为20L/min以上;将预热的结束条件设定为:蓝宝石衬底的中心部温度比外周缘部温度低65℃以上时。
申请公布号 CN101445919A 申请公布日期 2009.06.03
申请号 CN200810173276.4 申请日期 2008.10.31
申请人 OKI半导体株式会社 发明人 甲斐丈靖;马场裕之
分类号 C23C16/455(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I 主分类号 C23C16/455(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 雒运朴;李 伟
主权项 1. 一种半导体制造装置,其特征在于,具备:加热板,其使蓝宝石衬底在大气中升温;支承部,其使上述蓝宝石衬底的背面与上述加热板相对,并隔开规定间隔对上述蓝宝石衬底进行支承;以及喷出孔,其设置于上述加热板,朝向上述蓝宝石衬底的中心部喷出气体;在利用上述加热板来预热上述蓝宝石衬底的情况下,将上述蓝宝石衬底的预热条件设定为:上述规定间隔为1mm以下,来自上述喷出孔的上述气体的喷出量为20L/min以上;将上述预热的结束条件设定为:上述蓝宝石衬底的中心部温度比外周缘部温度低65℃以上时。
地址 日本东京都