互补式金氧半导体电晶体影像感测元件及其制作方法

摘要

本发明提供一种制作CMOS影像感测元件的方法。首先提供一基底，基底包含一光感测区与一电晶体区。之后，于电晶体区内之基底表面形成至少一闸极结构。接着，对基底进行一离子布植制程，离子布植制程穿透闸极结构而于基底中形成一第一导电型掺杂井。由于离子布植制程系穿透闸极结构而把离子植入电晶体的通道区域，因此未遮蔽之基底的布植深度会比被闸极结构所遮蔽之基底的布植深度更深，且可避免离子布植的能量在通道区域产生缺陷。