一种薄层SOI LIGBT器件

摘要

一种薄层SOI LIGBT器件，属于半导体功率器件技术领域。器件SOI层厚度为1μm～2μm，在体区与漂移区之间做有空穴势垒层，将空穴最大限度“挡”在漂移区内，从而增加漂移区中靠阴极侧的空穴浓度，降低器件导通损耗。在空穴势垒层旁还可以增加P型耗尽区，辅助耗尽N型空穴势垒层，以增强器件承受高压时的漂移区耗尽，改善器件的击穿特性。本发明具有寄生效应小、速度快、功耗低、抗辐照能力强等优点，且与标准工艺兼容。采用本发明可以制作性能优良的高压、高速、低导通损耗的LIGBT功率器件。

主权项

1、一种薄层SOI LIGBT器件，包括：衬底(1)，埋氧层(2)，N型缓冲层(3)，P+阳极区(4)，阳极金属(5)，场氧区(6)，金属前介质(7)，N型空穴势垒层(8)，P型体区(9)，多晶硅栅极(10)，阴极金属(11)，阴极N+区(12)，阴极P+区(13)，P型区(14)，N-漂移区(16)和栅氧层(17)；所述衬底(1)的上面是埋氧层(2)，所述埋氧层(2)上面是厚度为1μm～2μm的SOI层；所述SOI层一侧是N型缓冲层(3)，N型缓冲层(3)的上面是P+阳极区(4)，P+阳极区(4)的上面是阳极金属(5)；所述SOI层另一侧是P型区(14)；P型区(14)和N型缓冲层(3)之间是N型空穴势垒层(8)、P型体区(9)和N-漂移区(16)，其中：N-漂移区(16)与N型缓冲层(3)相连，P型体区(9)与P型区(14)相连，N型空穴势垒层(8)位于P型体区(9)和N-漂移区(16)之间；N-漂移区(16)的上面是场氧区(6)；N型空穴势垒层(8)和部分P型体区(9)的上面是栅氧层(17)，栅氧层(17)和部分场氧区(6)的上面是多晶硅栅极(10)；部分P型区(14)的上面是阴极P+区(13)，另一部分P型区(14)和另一部分P型体区(9)的上面是阴极N+区(12)；阴极N+区(12)和阴极P+区(13)的上面是阴极金属(11)；多晶硅栅极(10)和大部分场氧区(6)的上面且在阳极金属(5)和阴极金属(11)之间的是金属前介质(7)。