发明名称 Halbleiterstruktur
摘要 <p>Eine Halbleiterstruktur weist auf ein Substrat, eine über dem Substrat gebildete undotierte GaP-Schicht, und eine über der GaP-Schicht gebildete Halbleiterschicht.</p>
申请公布号 DE102008049534(A1) 申请公布日期 2009.05.07
申请号 DE20081049534 申请日期 2008.09.29
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 NAWAZ, MUHAMMAD
分类号 H01L29/78;H01L21/336;H01L27/12 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
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