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发明名称
Halbleiterstruktur
摘要
<p>Eine Halbleiterstruktur weist auf ein Substrat, eine über dem Substrat gebildete undotierte GaP-Schicht, und eine über der GaP-Schicht gebildete Halbleiterschicht.</p>
申请公布号
DE102008049534(A1)
申请公布日期
2009.05.07
申请号
DE20081049534
申请日期
2008.09.29
申请人
INFINEON TECHNOLOGIES AG
发明人
NAWAZ, MUHAMMAD
分类号
H01L29/78;H01L21/336;H01L27/12
主分类号
H01L29/78
代理机构
代理人
主权项
地址
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