用于在半导体衬底上外延淀积膜的系统和方法

摘要

用于外延淀积的系统和方法。反应器包括由加热系统、热绝缘系统和室壁包围的热壁处理腔。处理腔的壁可以由具有与半导体衬底的热膨胀系数基本上相同的材料组成，例如石英和碳化硅，并且可以包括可被加热到1200℃高温的等温或接近等温的腔。可以通过多个气口引入工艺气体，并且可能实现气体成分的分配控制的精确水平，包括膜源气体、掺杂剂源气体和载流气体。气体供给系统包括传送气体到处理腔的附加方法，例如通过温度测量器件和通过淋浴头。在本发明的一个实施例中，系统可以利用硅烷作为硅源气体。在本发明的另一个实施例中，把衬底提起离开基座的升降销机械装置可以在工艺期间与基座一起转动。

主权项

1、一种晶片处理系统，包括：处理室，包括用于容纳至少一个半导体衬底的衬底支撑器；与该处理室连通的加热装置；多个气体入口，用于使气体流入该半导体衬底表面上方的该处理室内，其中，布置至少一确定的气体入口以使在半导体衬底上的边缘区域上方流入气体，布置至少一确定的气体入口以使在半导体衬底上的中间区域上方流入气体，以及布置至少一确定的气体入口以使在半导体衬底上的中心区域上方流入气体，该多个气体入口包括纵向部分和横向部分，以便气体在通过该横向部分引导穿过半导体衬底之前，气体通过该纵向部分向上或向下流动；每个气体入口的横向部分与设定共同的增压的气体注入支持环连通；被布置成控制供给到气体入口的气体的流速以选择性控制半导体衬底的边缘区域、中间区域和中心区域上方的气体流动的气体供给系统；以及被布置成从该处理室中排出气体的气体排放系统。