| 发明名称 |
活性硬遮罩电浆蚀刻时之现场光阻剥除 |
| 摘要 |
本发明揭露在矽层中蚀刻特征部的方法。在矽层上形成硬遮罩层。在硬遮罩层上形成光阻层。打开硬遮罩层。供应剥除气体以剥除光阻层；藉着供应高频RF功率和低频RF功率，利用剥除气体形成电浆，其中低频RF功率系小于50瓦特；以及当光阻层被剥除时，中止剥除气体。打开硬遮罩层和剥除光阻层系于同一个腔室中实施。 |
| 申请公布号 |
TW200913050 |
申请公布日期 |
2009.03.16 |
| 申请号 |
TW097118343 |
申请日期 |
2008.05.19 |
| 申请人 |
兰姆研究公司 |
发明人 |
赵商骏;崔汤姆;韩泰俊;姜成勋;普拉伯哈克拉 勾帕拉达苏;严必明 |
| 分类号 |
H01L21/3065(2006.01);H01L21/311(2006.01);H01L21/027(2006.01);H01L21/02(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/3065(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
许峻荣 |
| 主权项 |
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| 地址 |
美国 |
