| 发明名称 | 用于MOS晶体管的栅电极 | ||
| 摘要 | 在一个实施例中，晶体管的栅极是通过在一硅层(112’)上执行第一热处理、在所述硅层(112’)上形成一金属叠层(110’)并在所述金属叠层上执行一第二热处理而形成的。所述第一热处理可以是一快速热退火步骤，而第二热处理可以是一快速热氮化步骤。最终得到的栅极在所述硅层和金属叠层之间呈现出相对低的界面接触电阻，并因此可有利地用在高速器件中。 | ||
| 申请公布号 | CN100468663C | 申请公布日期 | 2009.03.11 |
| 申请号 | CN200480014750.9 | 申请日期 | 2004.02.04 |
| 申请人 | 赛普雷斯半导体公司 | 发明人 | A·布洛斯;K·拉姆库马;P·戈帕兰 |
| 分类号 | H01L21/44(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/76(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/44(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 廖凌玲 |
| 主权项 | 1. 一种形成晶体管的栅极的方法，所述方法包括:对硅层进行退火；在所述硅层上形成金属叠层，所述金属叠层包括多个金属层；以及将所述金属叠层暴露在包括氮的加热环境中以将与所述硅层相接触且位于所述金属叠层的顶部部分下面的金属层的至少一部分转化成硅化物层。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||