| 发明名称 | 标准单元、标准单元库和半导体集成电路 | ||
| 摘要 | 在本发明的标准单元中，具有与其它晶体管不同的栅极长度的晶体管两侧的晶体管中的至少一方的晶体管总是处于截止状态。因此，即便栅极完工尺寸偏差，对标准单元的工作也没有影响，能够抑制标准单元的特性偏差。 | ||
| 申请公布号 | CN100463139C | 申请公布日期 | 2009.02.18 |
| 申请号 | CN200510076450.X | 申请日期 | 2005.06.15 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 矢野纯一 |
| 分类号 | H01L21/82(2006.01) | 主分类号 | H01L21/82(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1.一种标准单元，包括多个晶体管，该多个晶体管各自具有设置在半导体层的一部分上的扩散区域和设置在所述扩散区域上的栅极，其特征在于，所述多个晶体管中的至少一个第一晶体管的栅极长度比其它晶体管的栅极长度要大；所述第一晶体管与作为设置在所述第一晶体管两侧的晶体管中的至少一方的第二晶体管共有扩散区域，所述第二晶体管处于截止状态。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||