| 摘要 |
一种将带形基质作真空处理的处理设备，特别是将其一前侧的至少一区域在一第一程序室中作真空镀覆者，该第一程序室有一第一程序滚子及至少一程序源，并有一第二程序室，具有一第二程序滚子以及至少一程序源，其中有一转移室，设在该第一及第二程序室之间，该转移室与该二程序室耦合，且其压力与至少一程序室系可分开而分相通者，且有一卷离装置及一卷取装置及一外闸，该卷离装置有一可拿出之卷离物，该卷取装置有一可拿出之卷取物，以将所要处理的基质卷离／卷取，该外闸用于将该卷离物及／或卷取物装置及卸除，其中该所要处理的基质的后侧朝向该第一及第二程序滚子，且可从该卷离装置送到第一程序滚子，由第一程序滚子送到第二程序滚子，并从第二程序滚子经该转移室送到该卷取装置。此外还关于一种用于操作此处理设备的方法。 |
