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Es werden ein Bildsensor und ein Verfahren zu dessen Herstellung bereitgestellt. Der Bildsensor kann ein vertikal angeordneter Bildsensor sein, wobei die Fotodiode über den Schaltkreisen auf dem Substrat bereitgestellt wird. Die Fotodiode kann auf einer unteren Elektrode ausgebildet werden, die elektrisch mit einem CMOS-Schaltkreis auf einem Substrat verbunden ist. Die Fotodiode kann eine PIN- oder PI-Fotodioden-Struktur haben, die eine intrinsische Schicht auf der unteren Elektrode und eine Leitungs-Schicht eines Leitungs-Typs auf der intrinsiuf der intrinsischen Schicht angeordnet werden, und die Leitungs-Schicht eines Leitungs-Typs kann auf der Salizid-Schicht angeordnet werden. Die intrinsische Schicht kann ausgebildet werden, um einen Licht sammelnden Teil zu erzeugen, der eine konvex geformte obere Oberfläche bereitstellt.
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