逻辑开关及利用其的电路

摘要

本发明是有关于一种逻辑开关及利用其的电路。该逻辑开关是利用GIDL电流做为其原始操作机构。电压可提供至位于pn接面上并和其隔离的掺杂栅极中。第一电压起始GIDL电流，逻辑开关是双向传导的。第二电压停止GIDL电流，但逻辑开关是单向传导的。第三电压使逻辑开关双向都无法传导。同时提出包括逻辑开关的电路。这些电路包括反相器、SRAMs记忆单元、电压参考源及类神经逻辑开关。逻辑开关主要是依照SOI规则来实行，但同时提出依照主体规则的其他实施例。

主权项

1. 一种逻辑开关，其特征在于其至少包括：一二极管场所，定义于一半导体层的一隔离容积中，该隔离容积电性隔离该半导体层的剩余部分；一第一导电型的一第一半导体区，位于该二极管场所；一第二导电型的一第二半导体区，位于该二极管场所，该第二半导体区形成于该隔离容积的一部份中，而该隔离容积的剩余部分为该第一半导体区，该第二半导体区相邻于该第一半导体区，以定义一pn接面于该第一半导体区与该第二半导体区之间；以及一栅极，位于该pn接面与该第一半导体区与该第二半导体区的接面相邻表面上，该栅极包括：一薄氧化层，位于该第一半导体区与该第二半导体区的该表面上；以及一导电栅极电极，位于该薄氧化层上，该电极被该第一导电型的一杂质充分掺杂，以安置该第二半导体区的该表面于多数载子缺乏中的该栅极下方，以及安置该第一半导体区的该表面于多数载子累积中的该栅极下方，在热均衡及在该栅极电极与该第一半导体区与该第二半导体区之间无电位差的情况下，于该第一半导体区与该第二半导体区间传导栅极引发漏极漏电流。