发明名称 Method of Forming Insulator Layer and Method of Manufacturing Non-Volatile Memory Device Using the same
摘要
申请公布号 KR100596484(B1) 申请公布日期 2006.07.03
申请号 KR20040038901 申请日期 2004.05.31
申请人 发明人
分类号 H01L27/115;H01L21/314;H01L21/316;H01L21/336;H01L21/4763;H01L21/8247 主分类号 H01L27/115
代理机构 代理人
主权项
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