发明名称 |
制造多晶硅的方法 |
摘要 |
本发明提供一种以相对低的成本制造多晶硅的方法,其中通过减少在通过还原方法由氯化硅制造多晶硅中所产生的废料的量和增加重复使用的助剂原料的量,来减少所产生的废料的量。在使用氯化硅气体与还原剂气体的气相反应制造多晶硅中,将氯气吹入从反应装置排出的废气中以引发反应,使所述废气中所含的未反应的还原剂和硅粒氯化,且接着将废气中所含的还原剂氯化物与其它杂质分离并回收。 |
申请公布号 |
CN101311346A |
申请公布日期 |
2008.11.26 |
申请号 |
CN200810085083.3 |
申请日期 |
2008.03.17 |
申请人 |
智索株式会社 |
发明人 |
林田智 |
分类号 |
C30B29/06(2006.01);C30B28/14(2006.01);C01B33/03(2006.01) |
主分类号 |
C30B29/06(2006.01) |
代理机构 |
北京中原华和知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
寿宁;张华辉 |
主权项 |
1、一种制造多晶硅的方法,其中所述制造方法在一反应器中进行氯化硅气体与还原剂气体的气相反应,其特征在于所述方法包括:将氯气吹入含有在所述气相反应中作为副产物而产生的还原剂氯化物气体和未反应气体的废气,以引发反应的步骤;将所述废气中所含的还原剂氯化物与其它杂质分离的步骤;以及回收所述还原剂氯化物的步骤。 |
地址 |
日本大阪府大阪市北区中之岛三丁目6番32号 |