镁橄榄石－C合成的MgO－SiC－C质材料及其制备方法

摘要

本发明涉及一种以镁橄榄石和C合成的MgO－SiC－C质材料及其制备方法。所采用的技术方案是：按摩尔比先将1～4mol的镁橄榄石矿粉和3～6mol的C粉混合，外加上述混合料质量百分含量4～10％的结合剂，搅拌或混碾10～30分钟，经压制成型后干燥。然后在还原气氛下烧结，烧结温度为1450～1700℃，保温时间为2～8小时，得MgO－SiC－C质复合材料。本发明所采用的工业炭粉原料来源广泛、镁橄榄石矿的资源丰富，不仅可有效解决镁砂资源紧缺的问题，且生产成本低。所制备的MgO－SiC－C质复合材料，可保持材料优良的性能，能减缓材料的蚀损，使用寿命延长。

主权项

1、一种镁橄榄石-C合成的MgO-SiC-C质材料的制备方法，其特征在于按摩尔比先将1～4mol的镁橄榄石矿粉和3～6mol的C粉混合，外加上述混合料质量百分含量4～10％的结合剂，搅拌或混碾10～30分钟，经压制成型后干燥，然后在还原气氛下烧结，烧结温度为1450～1700℃，保温时间为2～8小时。