| 发明名称 | 一种用于检测芯片制成缺陷的测试机构及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种用于检测芯片制成缺陷的测试机构，包括：测试端口，包括正极测试端口及负极测试端口；隔离层；若干多晶硅栅极，各个多晶硅栅极不相交地铺设在所述隔离层上；若干多晶硅接触孔，各个多晶硅接触孔设置在所述隔离层上、未铺设多晶硅栅极的地方；及若干数位线，各数位线不相交、分别连接数个多晶硅接触孔；各数位线的一部分接入所述正极测试端口，另一部分接入所述负极测试端口。本测试机构与DRAM芯片同时生产，利用DRAM芯片的制成本身，使用该测试机构来发现DRAM芯片中BPSG的制成是否完好；大大缩短了发现问题的时间，使得可能造成的影响降低。 | ||
| 申请公布号 | CN101304020A | 申请公布日期 | 2008.11.12 |
| 申请号 | CN200710040536.6 | 申请日期 | 2007.05.11 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 章鸣;苏凤莲;陈强;梁山安 |
| 分类号 | H01L23/544(2006.01);H01L21/00(2006.01);H01L21/66(2006.01) | 主分类号 | H01L23/544(2006.01) |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人 | 王洁 |
| 主权项 | 1、一种用于检测芯片制成缺陷的测试机构，其特征在于，其包括：测试端口，包括正极测试端口及负极测试端口；隔离层；若干多晶硅栅极，各个多晶硅栅极不相交地铺设在所述隔离层上；若干多晶硅接触孔，各个多晶硅接触孔设置在所述隔离层上、未铺设多晶硅栅极的地方；及若干数位线，各数位线不相交、分别连接数个多晶硅接触孔；各数位线的一部分接入所述正极测试端口，另一部分接入所述负极测试端口。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||