| 发明名称 |
Epitaktischer SiC-Wafer, Verfahren zu seiner Herstellung und Halbleiter-Vorrichtung, die diesen verwendet |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE19712796(B4) |
申请公布日期 |
2008.11.06 |
| 申请号 |
DE19971012796 |
申请日期 |
1997.03.26 |
| 申请人 |
FUJI ELECTRIC CO. LTD. |
发明人 |
ASAI, RYUICHI;URUSIDANI, TATSUO |
| 分类号 |
H01L21/20;H01L29/872;C30B29/36;H01L21/04;H01L21/334;H01L29/04;H01L29/12;H01L29/47;H01L29/74;H01L29/78;H01L29/861 |
主分类号 |
H01L21/20 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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