| 摘要 |
一种操作快闪记忆体装置之方法，包含施加第一编程电压 Vp1 至复数个记忆胞元之字元线。测量记忆胞元之临界电压以得到记忆胞元之第一临界电压分布。施加第二编程电压 Vp2 至已利用第一编程电压 Vp1 编程之记忆胞元的字元线。测量已利用第二编程电压 Vp2 编程之记忆胞元的临界电压，以得到记忆胞元之第二临界电压分布。无论该已利用第二编程电压编程之记忆胞元是否已适当地编程均作成一判定。若记忆胞元被判定为已适当地编程时，则定义第二编程电压作为结束偏压以编程操作。若记忆胞元被判定为没有适当地编程时，则记忆胞元使用高于第二编程电压之第三编程电压编程。 |
