| 发明名称 | 相变内存装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种相变内存装置，包括：基板；金属栓塞和相变材料层，依序形成于上述基板上，其中上述金属栓塞电性连接于上述相变材料层；加热电极，形成于上述相变材料层上，其中上述加热电极电性连接于上述相变材料层；导电层，形成于上述加热电极上。 | ||
| 申请公布号 | CN101241925A | 申请公布日期 | 2008.08.13 |
| 申请号 | CN200710008050.4 | 申请日期 | 2007.02.09 |
| 申请人 | 财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司 | 发明人 | 许宏辉 |
| 分类号 | H01L27/24(2006.01);H01L45/00(2006.01);G11C11/56(2006.01) | 主分类号 | H01L27/24(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1. 一种相变内存装置，包括：基板；金属栓塞和相变材料层，依序形成于该基板上，其中该金属栓塞电性连接于该相变材料层；加热电极，形成于该相变材料层上，其中该加热电极电性连接于该相变材料层；导电层，形成于该加热电极上。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹县 | ||