基板处理方法和基板处理装置

摘要

本发明提供一种能在高压下控制处理室内的压力且高速排出处理室内气体的基板处理方法，基板处理系统(10)包括：对晶片W实施化学反应处理的第二工艺模块(28)，其具有处理室(33)和对该腔室(33)内气体等进行排气且对腔室(33)内压力进行控制的排气控制系统(37)，在对收容于腔室(33)内的晶片W实施化学反应处理时，通过口径较小的APC阀(55)控制腔室(33)内压力，在对晶片W实施化学反应处理后，开放APC阀(55)并利用干式泵(46)将腔室(33)内的氟化氢气体等从排气管(53)排出，并进一步关闭APC阀(55)并开放隔离阀(51)利用TMP(50)通过排气管(47)排出。

主权项

1.一种基板处理方法，其是下述基板处理装置的基板处理方法，所述基板处理装置包括：用于收容基板的处理室；向所述处理室内供给处理气体的供给部；一端与所述处理室连接的第一管；配置在所述第一管的中途的涡轮分子泵；配置在所述第一管上并且位于所述处理室和所述涡轮分子泵之间的第一截止阀；一端与所述处理室连接，截面积比所述第一管的截面积小的第二管；配置在所述第二管的中途的规定口径的压力控制阀；以及与所述第一管的另一端和所述第二管的另一端连接的干式泵，所述基板处理方法的特征在于，包括：当对收容在所述处理室的基板实施处理时，关闭所述第一截止阀，并且通过所述压力控制阀对所述处理室内的压力进行控制的第一压力控制步骤；在对所述基板实施完所述处理之后，开放所述压力控制阀，利用所述干式泵使所述处理室内的气体通过所述第二管排出的第一排气步骤；以及在所述第一排气步骤之后，关闭所述压力控制阀，并且开放所述第一截止阀，利用所述涡轮分子泵使所述处理室内的气体通过所述第一管排出的第二排气步骤。