具有单元二极体之非挥发性记忆体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种积体电路记忆体单元，其包括一其中具有一具第一导电型(例如，N型)之第一半导体区域的基板，该第一半导体区域可界定该基板内之一字线之一部分。一电绝缘层提供于该基板上。该电绝缘层中具有一与该第一半导体区域中之一凹座相对延伸的开口。一第一绝缘间隔层提供于该第一半导体区域中之该凹座之一侧壁上。一二极体提供于该开口中。该二极体具有一电耦接至该第一半导体区域中之该凹座之一底部的第一端子。亦提供一可变电阻率材料区域(例如，可相变材料区域)。该可变电阻率材料区域电耦接至该二极体之一第二端子。