形成热稳定金属硅化物的方法

摘要

本发明提供一种形成热稳定金属硅化物的方法，其在一衬底表面完成基本的源极、漏极与栅极相关工艺后，溅射一覆盖层，再进行一硅离子植入步骤，利用热工艺使覆盖层中的金属原子进入多晶硅层中的晶粒界面，以提升多晶硅金属硅化物的热稳定性，并通过离子植入步骤提供额外的硅离子至硅衬底，使得当组件尺寸缩小的情况下，仍可保持组件的特性，提升产品的成品率。

主权项

1.一种形成热稳定金属硅化物的方法，其特征在于包括下列步骤：提供一半导体硅衬底；在该衬底上形成复数个栅极堆栈结构，该栅极堆栈结构包括一栅极氧化层与一多晶硅层；于该栅极堆栈结构的间的该衬底中，形成与复数个源极/漏极区；于该衬底上形成一金属层；接着在该金属层上形成一覆盖层；进行一硅离子的植入步骤；进行第一次的热工艺，于该衬底上形成一金属硅化物，并使该覆盖层的原子填满该多晶硅的晶粒界面；去除该覆盖层；及进行第二次的热工艺，以消除因植入离子所造成的损坏，以达到所要的电性活性作用。