激光器组件

摘要

一种激光器组件，其被设计成高频区域10MHz～1GHz的相对噪声强度(RIN)的累计值(以下叫做高频RIN)是-40dB以上。在具备该激光器组件且具有量子阱结构活性层的半导体激光元件中，当把每一层阱层的光封闭系数设为Γ，把一层阱层的厚度设为d(nm)时，用Γ/d≤1.3×10^-3nm^-1表示的关系成立。且设为激光器组件的活性层结构能采用完全分离封闭结构(Decoupled Confinement Heterostructure：DCH结构)和分离封闭结构(Separated Confinement Heterostructure：SCH结构)。

主权项

1.一种激光器组件，其特征在于，其具备：半导体激光元件和构成具有所述半导体激光元件的外部谐振器的反馈光学部件，所述半导体激光元件(100)是具备有由量子阱结构构成的活性层(5)的层结构的法布里珀罗型，所述量子阱结构包括：阱层(5A1、5A2)和沿所述阱层的层叠方向层叠在两侧的阻挡层(5B0、5B1、5B2)，其特征在于，所述半导体激光元件具有不小于1500μm的谐振器长度，当把所述量子阱结构每一层阱层的光封闭系数设为Γ，把该阱层的厚度设为dnm时，Γ/d≤1.3×10-3nm-1的关系成立。