| 摘要 |
Fremgangsmåte for fremstilling av krystallisert silisium i henhold til EFG-prosessen ved anvendelse av en formgivningsdel, hvor krystallisert silisium vokser i en trekkesone mellom formgivningsdelen og en silisiumsmelte, hvor silisiumsmelten og/eller trekkesonen tilføres en inert gass og i det minste vanndamp, hvorved oksygeninnholdet i det krystalliserte silisium økes. Det beskrives også krystallisert silisium fremstilt ved fremgangsmåten, og anvendelse av det krystalliserte silisium. |
