半导体元件及其制作方法

摘要

一种半导体元件及其制作方法,包含下列步骤:提供一具有一绝缘表面之基板;形成一非晶矽层于绝缘表面上;加入一金属催化元素至非晶矽层;加热催化非晶矽层以形成一多晶矽层;依序形成一扩散层及一捕捉材料层于多晶矽层上;进行一热退火制程,捕捉材料层中含金属催化元素之浓度系小于多晶矽层中含金属催化元素之浓度,故使金属催化元素扩散移动至捕捉材料层中;之后移除扩散层及捕捉材料层。