一种锑化镓半导体溶剂热共还原制备方法

摘要

本发明公开了一种采用溶剂热共还原方法制备了半导体锑化镓粉末，原料选取GaCl₃、SbCl₃、还原剂金属钠与有机溶剂苯，在高压釜中反应，温度范围120～350℃，时间范围10～60小时，然后冷却、过滤、洗涤、干燥，成功制得无团聚，分散均匀的GaSb粉末。本发明原料简单，避免了复杂金属有机化合物前驱物和剧毒锑化氢气体，可实现工艺清洁化目标；条件缓和，设备简单，反应一般只需控制温度在300℃以下，使反应温度大大降低，而且反应体系中无须绝对无水无氧操作，从而大大简化实验设备和操作过程。

主权项

1.一种锑化镓半导体溶剂热共还原制备方法，其特征在于采用下述步骤：将分析纯GaCl3、SbCl3、还原剂金属钠与有机溶剂苯混合，并转移至高压釜，高压釜置于烘箱中，保持温度在120～350℃之间，时间在10～60小时之内，然后冷却至室温，将反应混合物过滤；所得沉淀依次用二甲苯、无水乙醇、1摩尔稀盐酸和无水乙醇各洗三次；最后黑色粉末在真空干燥器中40℃干燥4小时，即得产物GaSb粉末。