发明名称 溅射装置及成膜方法
摘要 本发明提供一种靶的使用效率高的溅射装置。本发明的溅射装置(1)具有移动部件(28a、28b),移动部件(28a、28b)可使第一、第二磁铁部件(23a、23b)在与第一、第二靶(21a、21b)的表面平行的面内移动。如果第一、第二磁铁部件(23a、23b)移动,则磁力线也移动,第一、第二靶(21a、21b)表面的高侵蚀区域也移动,因此第一、第二靶(21a、21b)表面的广泛区域可被溅射。
申请公布号 CN101180417A 申请公布日期 2008.05.14
申请号 CN200680018096.8 申请日期 2006.10.05
申请人 株式会社爱发科 发明人 高泽悟;浮岛祯之;谷典明;石桥晓
分类号 C23C14/35(2006.01);C23C14/34(2006.01);H01L51/50(2006.01);H05B33/10(2006.01) 主分类号 C23C14/35(2006.01)
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 曹雯;李平英
主权项 1.一种溅射装置,其具有:真空槽,板状的第一、第二靶,以及第一、第二磁铁部件,所述第一、第二磁铁部件为环状,在该环的厚度方向上被磁化;在上述真空槽内隔开一定间隔以上述第一、第二靶的表面互相平行面向的状态配置上述第一、第二靶,在上述第一、第二靶的背面侧以相异的磁极对向的方式配置上述第一、第二磁铁部件,以使从上述第一、第二靶间的间隙即溅射空间的端部向成膜对象物的成膜面放出溅射粒子,并且,具有移动部件,其使上述第一、第二磁铁部件在对上述第一、第二靶的表面平行的面内相对于上述第一、第二靶相对移动。
地址 日本神奈川县