| 发明名称 | 调节器件阈值电压的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种调节器件阈值电压的方法，包括以下步骤，第一步，浅沟槽隔离形成；第二步，P阱注入；第三步，N阱注入；第四步，栅氧化；第五步，轻掺杂漏极和晕圈注入；第六步，边墙形成；第七步，源漏极注入及退火；第八步，难熔金属硅化物形成；第九步，形成金属沉淀前的层间介质膜；第十步，形成NMOS和PMOS沟道调节光罩；第十一步，NMOS和PMOS沟道调节区刻蚀；第十二步，形成NMOS沟道调节光罩；第十三步，NMOS沟道调节注入；第十四步，形成PMOS沟道调节光罩；第十五步，PMOS沟道调节注入。本发明在沟道调节注入之后，不再进行较强的热处理，不会对器件的沟道区域造成影响，能有效调节器件阈值电压。 | ||
| 申请公布号 | CN101174586A | 申请公布日期 | 2008.05.07 |
| 申请号 | CN200610117834.6 | 申请日期 | 2006.11.01 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 周贯宇;胡君;钱文生 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01) |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾继光 |
| 主权项 | 1.一种调节器件阈值电压的方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，浅沟槽隔离形成；第二步，P阱注入；第三步，N阱注入；第四步，栅氧化；第五步，轻掺杂漏极和晕圈注入；第六步，边墙形成；第七步，源漏极注入及退火；第八步，难熔金属硅化物形成；第九步，形成金属沉淀前的层间介质膜；第十步，形成NMOS和PMOS沟道调节光罩；第十一步，NMOS和PMOS沟道调节区刻蚀；第十二步，形成NMOS沟道调节光罩；第十三步，NMOS沟道调节注入；第十四步，形成PMOS沟道调节光罩；第十五步，PMOS沟道调节注入。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 | ||