发明名称 | 储存电容及其形成方法与包含该储存电容之显示器 | ||
摘要 | 一种储存电容的形成方法,包括:依序形成一半导体层以及一第一介电层于一基板上;形成一图案化光阻层于该第一介电层上,且该图案化光阻包括一第一区以及一第二区系邻近于该第一区;移除未被该图案化光阻层所遮蔽之该第一介电层及该半导体层;移除该第一区,用以露出该第一介电层;以该第二区作为遮罩进行一掺杂制程,形成至少一掺杂区于部分该半导体层中,用以作为一第一电极;移除该第二区;依序形成一第二介电层以及一导电层,覆盖该基板及该第一介电层;以及图案化该导电层,用以形成一第二电极,且实质上对应于该第一电极。 | ||
申请公布号 | TW200807515 | 申请公布日期 | 2008.02.01 |
申请号 | TW095126694 | 申请日期 | 2006.07.21 |
申请人 | 友达光电股份有限公司 | 发明人 | 邱大维;郑逸圣;廖盈奇 |
分类号 | H01L21/24(2006.01);H01L21/02(2006.01) | 主分类号 | H01L21/24(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 洪澄文;颜锦顺 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路1号 |