发明名称 薄膜晶体管液晶显示器、叠层储存电容器及其形成方法
摘要 本发明揭露一种用于薄膜晶体管液晶显示器中每一像素的叠层储存电容器结构。其中,第一储存电容器由第一金属层、一栅极绝缘层、以及第二金属层所形成。第二储存电容器由第二金属层、一保护绝缘层、以及一铟锡氧化物层所形成。此第一金属层与此铟锡氧化物层透过一介层窗而连结在一起;此介层窗通过一个绝缘层蚀刻步骤,蚀穿此栅极绝缘层与此保护绝缘层而形成。就上述结构而言,两个储存电容器相互平行且上下连接成叠层结构。有了上述叠层储存电容器结构,电荷储存容量便可以在不明显影响像素的开口率的情况下而增加。此铟锡氧化物层与像素电极沉积在保护绝缘层上的不同位置。
申请公布号 CN100363830C 申请公布日期 2008.01.23
申请号 CN200510073724.X 申请日期 2005.05.20
申请人 友达光电股份有限公司 发明人 罗方祯;罗长诚
分类号 G02F1/136(2006.01);G02F1/133(2006.01);H01L29/786(2006.01);H01L21/027(2006.01) 主分类号 G02F1/136(2006.01)
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 陶凤波;侯宇
主权项 1.一种用于薄膜晶体管液晶显示器的叠层储存电容器结构,该薄膜晶体管液晶显示器具有多个像素,每一个像素具有一像素区域,其中至少部分的像素具有一个大体上形成于该像素区域内且具有叠层储存电容器结构的储存电容器,该叠层储存电容器结构包括:第一储存电容器,具有由第一导电层形成的第一平板、由第二导电层形成的第二平板、以及由沉积于该第一导电层与该第二导电层之间的第一绝缘层所形成的第一介电层;以及第二储存电容器,具有由第三导电层形成的第三平板、由该第二导电层形成的该第二平板、以及由沉积于该第三平板与该第二平板之间的第二绝缘层形成的第二介电层,其中该第一导电层与该第三导电层形成电接触,所以该第一储存电容器与该第二储存电容器呈平行连接且形成电接触,而且其中该第二导电层位于该第一导电层与该第三导电层之间。
地址 台湾省新竹市