发明名称 |
具有堆叠芯片的半导体器件以及制造该器件的方法 |
摘要 |
一种半导体器件包括第一半导体器件和第二半导体器件。在第二半导体器件中的通孔从邻近接触垫的第二半导体器件的上侧延伸到第二器件的底侧。塔状接触凸点电连接到第一半导体器件的接触垫。第二半导体器件相邻于第一半导体器件布置,使得塔状接触凸点设置在通孔之中,并且与第二半导体器件的接触垫电连接。 |
申请公布号 |
CN101101884A |
申请公布日期 |
2008.01.09 |
申请号 |
CN200710126066.5 |
申请日期 |
2007.07.06 |
申请人 |
奇梦达股份公司 |
发明人 |
于尔根·西蒙;哈里·黑德勒 |
分类号 |
H01L21/60(2006.01);H01L25/00(2006.01);H01L25/065(2006.01);H01L23/488(2006.01);H01L23/485(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/60(2006.01) |
代理机构 |
北京康信知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
章社杲;吴贵明 |
主权项 |
1.用于制造具有堆叠的芯片的半导体器件的方法,所述方法包括:设置具有第一上侧和与所述第一上侧相对的第一底侧的第一半导体晶片,所述第一半导体晶片包括在所述第一上侧的第一接触垫;设置具有第二上侧和与所述第二上侧相对的第二底侧的第二半导体晶片,所述第二半导体晶片包括在所述第二上侧的第二接触垫,并具有一个厚度;在所述第二半导体晶片中形成通孔,所述通孔从所述第二接触垫区域中的第二上侧延伸到所述第二底侧;在所述第一接触垫上布置塔状接触凸点,所述塔状接触凸点的直径小于所述通孔的直径;在所述第一半导体晶片上堆叠所述第二半导体晶片,同时,所述第二底侧和所述第一上侧彼此相对移动,并且同时,所述塔状接触凸点插入到所述通孔中;以及将所述塔状接触凸点与所述第二接触垫电连接。 |
地址 |
德国慕尼黑 |