| 摘要 |
一种相变化记忆体装置，具有一异种材料接触插塞，该异种材料接触插塞具有：一第1导电性材料插塞，由第1导电性材料所构成；及一第2导电性材料插塞，由第2导电性材料所构成，该第2导电性材料之比电阻小于该第1导电性材料之比电阻；该第1导电性材料插塞及该第2导电性材料插塞被埋置于一共同的接触孔。该异种材料接触插塞有效地减低来自于一相变化层之下之接触插塞的热辐射。该相变化记忆体装置尚包括一延伸电极层，其与该相变化层之一部分下表面于偏离该相变化层与该加热电极彼此接触之接触表面正上方的区域接触。该延伸电极层降低来自于该相变化层之上之一电极的热辐射。 |
