发明名称 控制反应室基板表面温度之装置及方法
摘要 本发明系有关一种控制CVD反应器反应室(12)中之基板表面温度之方法,基板(9)放置在一基板座(2)上,基板座(2)被一基板座载板(1)流出气流所构成动态气垫(8)支撑,对基板(9)之热输入至少部分利用经过该气垫之热传导。为减少一基板表面温度与一平均值之横向偏差,本发明使气垫(8)之气流由两种或两种以上具不同比导热性的气体(17, 18)构成,并配合测得的基板表面温度改变该气流组成成分。
申请公布号 TW200745375 申请公布日期 2007.12.16
申请号 TW096113763 申请日期 2007.04.19
申请人 爱思强公司 发明人 约翰尼斯 卡普勒;华特 法兰肯
分类号 C23C16/46(2006.01);C23C16/52(2006.01) 主分类号 C23C16/46(2006.01)
代理机构 代理人 赖经臣;宿希成
主权项
地址 德国
您可能感兴趣的专利