| 发明名称 | 防磁头隧道磁电阻的磁阻阻抗降低的方法及微纹形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种防止磁头之隧道磁电阻的磁阻阻抗降低的方法，包括下列步骤：将由若干磁头结构的本体构成的磁条定位在一托盘上，每一磁头结构的本体具有一极尖，极尖具有一隧道磁电阻元件；将所述托盘装入处理室，抽空处理室至预设的压强；向所述处理室引入包含氧气的处理气体；及将所述磁头结构的本体暴露在处理气体中的蚀刻手段中，使隧道磁电阻元件表面氧化而形成一层氧化层。该氧化层阻止隧道磁电阻元件的电路形成分路，防止磁阻阻抗降低，从而改善磁头的动态性能及磁盘驱动装置的读取性能。本发明同时公开了在上述方法中在磁头表面形成微纹的方法，还公开了磁头的制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101075437A | 申请公布日期 | 2007.11.21 |
| 申请号 | CN200610081900.9 | 申请日期 | 2006.05.16 |
| 申请人 | 新科实业有限公司 | 发明人 | 马洪涛;方宏新;陈宝华 |
| 分类号 | G11B5/39(2006.01) | 主分类号 | G11B5/39(2006.01) |
| 代理机构 | 广州三环专利代理有限公司 | 代理人 | 郝传鑫 |
| 主权项 | 1.一种防止磁头之隧道磁电阻(TMR)的磁阻阻抗(MRR)降低的方法，其特征在于包括下列步骤：(a)将由若干磁头结构的本体构成的磁条(row bar)定位在一托盘上，每一磁头结构的本体具有一极尖(pole tip)，极尖具有一隧道磁电阻元件(TMR element)；(b)将所述托盘装入处理室，抽空处理室至预设的压强；(c)向所述处理室引入包含氧气的处理气体；及(d)将所述磁头结构的本体暴露在处理气体中的蚀刻手段(etchingmeans)中，使隧道磁电阻元件表面氧化而形成一层氧化层。 | ||
| 地址 | 中国香港新界沙田香港科学园科技大道东六号新科中心 | ||